-
電話:400-000-0000電話:400-000-0000
-
微信:abcdefg
-
-
郵箱:admin@yourdomain.com
訪問(wèn):
京東商城
不過(guò),先進(jìn)半導(dǎo)體制程的提升難度越來(lái)越大,無(wú)論英特爾還是臺(tái)積電,都在通過(guò)先進(jìn)封裝技術(shù)進(jìn)一步提升性能。目前看來(lái),GF也加入其中。這可能意味著半導(dǎo)體先進(jìn)工藝的競(jìng)爭(zhēng),正在進(jìn)入一個(gè)新的階段。
GF(GlobalFoundries,格羅方德)本周宣布,它已采用其12nm FinFET工藝制造出高性能3D Arm。GF認(rèn)為,這些高密度3D芯片將為計(jì)算應(yīng)用提供“新級(jí)別“的系統(tǒng)性能和能耗,例如AI / ML以及高端設(shè)備和無(wú)線解決方案?!?/p>
3D芯片的競(jìng)賽
測(cè)試芯片采用GF的12nm(12LP)FinFET工藝制造,同時(shí)在3D面中使用Arm的網(wǎng)狀互連技術(shù)。這使得芯片更容易擴(kuò)展出更多的核心數(shù)量,并且數(shù)據(jù)能夠更直接地從一個(gè)內(nèi)核移動(dòng)到另一個(gè)內(nèi)核。而3D芯片可以在數(shù)據(jù)中心、邊緣計(jì)算以及高端消費(fèi)設(shè)備中降低延遲,提升數(shù)據(jù)傳輸速度。
“在大數(shù)據(jù)和認(rèn)知計(jì)算時(shí)代,先進(jìn)的封裝技術(shù)正在發(fā)揮比以往更大的作用。人工智能的發(fā)展對(duì)高能效,高吞吐量互連的需求,正在通過(guò)先進(jìn)的封裝技術(shù)的加速發(fā)展來(lái)滿足。 “GF的平臺(tái)首席技術(shù)專家John Pellerin在一份聲明中表示。
“我們很高興與Arm等創(chuàng)新合作伙伴合作,提供先進(jìn)的封裝解決方案,進(jìn)一步集成各種節(jié)點(diǎn),優(yōu)化邏輯尺寸,提高內(nèi)存帶寬和射頻性能。這項(xiàng)工作將使我們對(duì)采用先進(jìn)的封裝技術(shù)產(chǎn)生新的見(jiàn)解,使我們共同的客戶能夠更有效地創(chuàng)建完整、差異化的解決方案。“
兩家公司已經(jīng)使用GF的晶圓級(jí)邦定(wafer-to-wafer bonding),驗(yàn)證了3D設(shè)計(jì)測(cè)試(DFT,3D Design-for-Test)方法。GF表示,該技術(shù)每平方毫米可以實(shí)現(xiàn)高達(dá)100萬(wàn)個(gè)3D連接,使其具有高度可擴(kuò)展性,并有望延長(zhǎng)12納米3D芯片的使用壽命。
Arm是最近一家對(duì)3D芯片表現(xiàn)出興趣的IP公司之一。英特爾去年宣布了其對(duì)3D芯片堆疊的研究,AMD也討論了在其芯片上的3D堆疊DRAM和SRAM,當(dāng)然,閃存NAND公司已經(jīng)生產(chǎn)了3D存儲(chǔ)芯片。業(yè)界似乎致力在不久的將來(lái)制造更多3D芯片。
先進(jìn)節(jié)點(diǎn)滯后,GF專注3D芯片
GF最近不得不承認(rèn)它無(wú)法為AMD推出Zen 2芯片提供7nm工藝。這極大地影響了兩家公司之間長(zhǎng)達(dá)十年的關(guān)系。當(dāng)然,AMD仍然是GF的客戶,但比以前小得多。
GF不得不為未來(lái)重塑自我,因?yàn)槟柖梢呀?jīng)放緩,縮小半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)變得越來(lái)越困難和昂貴。轉(zhuǎn)向3D芯片制造似乎有助于GF保持與客戶的關(guān)系,因?yàn)槠淇蛻粢竺磕曛圃斐龈咝阅艿男酒?/p>
由于12nm工藝更加成熟,因此在3D面上開(kāi)發(fā)芯片應(yīng)該更容易,而不必?fù)?dān)心新的7nm工藝可能帶來(lái)的問(wèn)題。然而,臺(tái)積電、三星和英特爾能夠在比GF小得多的節(jié)點(diǎn)上開(kāi)發(fā)3D芯片只是時(shí)間問(wèn)題。如果是這樣的話,GF可能不得不繼續(xù)專注于生產(chǎn)具有“老技術(shù)”的高價(jià)值3D芯片。